东微半导，688261.SH，是国内技术驱动型功率半导体厂商，2008 年成立、2022 年科创板上市，核心聚焦高压超级结 MOSFET、中低压 SGT MOSFET、TGBT/IGBT、SiC MOSFET 及功率模块，主打工业级与车规级应用，适配 12V/24V/48V/650V/1200V 等多电压平台，AEC - Q101 车规与功能安全合规完善。以下为核心信息梳理：
一、核心产品线与技术特点
1. 高压超级结 MOSFET（GreenMOS 系列）
电压覆盖 400V - 900V，代表型号 OSG65R038HZF（650V/0.038Ω/80A），采用深槽刻蚀与外延填充工艺，开关速度快、EMI 低，适配服务器电源、光伏逆变器、储能 PCS、工业 UPS。
优势：缓变电容设计简化 EMI 整改，高雪崩能力，支持高频硬开关拓扑，效率可达 98%+。
2. 中低压 SGT/SFGMOSFET（半浮栅技术）
电压 12V - 100V，覆盖汽车 48V 系统、车载 OBC、电机驱动、DC - DC 与工业伺服，已批量供货头部车企。
优势：半浮栅结构兼顾低栅电荷与高可靠性，导通电阻低，适合大电流高频应用，车规级型号通过 AEC - Q101。
3. TGBT/IGBT 器件（功率开关核心）
TGBT 为东微独创单胞结构，650V - 1700V，适配光伏逆变、储能变流器、车载主驱；IGBT 含高速 / 低 Vcesat/RC 系列，满足工业与汽车高压大电流需求。
优势：TGBT 开关损耗比传统 IGBT 低 30%，短路耐受能力强，适合高功率密度设计。
4. SiC MOSFET（第三代半导体）
已量产 650V/1200V 第二代、第三代，第四代 1200V 完成送样，车规级型号支持 AEC - Q101，适配新能源汽车主驱、OBC、高压充电桩。
优势：低导通电阻、高开关频率，耐高温（175℃），提升系统效率与功率密度。
5. 功率模块与特殊器件
涵盖 Si/SiC 混合模块、集成驱动模块，适配数据中心电源、汽车电驱；同时布局 GaN 功率器件，推进 12 英寸产线研发。
应用：AI 服务器 48V/1000A 电源、车载高压配电盒（PDU）、工业机器人伺服驱动。
6. 电路保护与配套器件
配套车规级 TVS、功率二极管，用于车载电源过压 / 过流防护，与主功率器件形成一体化方案。
二、核心技术与合规能力
工艺壁垒：半浮栅（SFGT）原创专利，超级结电荷平衡优化，SiC 外延与栅极工程自主可控。
安全与保护：内置过温、过流、短路、欠压闭锁（UVLO），故障诊断可上报 ECU，多款支持 ASIL - B 功能安全。
车规合规：全系列车规产品通过 AEC - Q101，SiC 与 SGT MOSFET 满足 ISO 26262，适配 - 40℃至 175℃工况。
EMI 优化：扩频时钟与软开关设计，降低系统 EMC 整改成本。
